MB89R118C内置大容量耐辐射性强的FRAM，无限次擦写，速度更快

搭载FRAM用于13.56MHz RFID的芯片MB89R118C 内置大容量耐辐射性强的 FRAM，可满足 RFID 标签的小型化要求。

MB89R118C1-DIAP15-P1

HF band13.56MHz ，

2Kbyte内存

ISOIEC15693通信规格

1万亿次 以上稳定擦写

富士通半导体已经开发出了高频段 (13.56MHz) 和超高频段 (860 ～ 960MHz)RFID 芯片产品。这些产品最重要的特点就是内嵌铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）。由于擦写速度快、耐擦写次数高，它们已经作为数据载体型被动 RFID 芯片而被全世界广泛采用。近年来，在需要杀菌的物品上粘贴标签，以及标签的小型化需求开始呈现。针对这些需求，富士通发挥 FRAM 在防辐射方面的特点，开发出“MB89R118C”产品。

该产品是一款在高频段(13.56MHz)使用的RFID芯片，内置2K字节数据载体型FRAM大容量存储器，性能上沿袭已上市销售的MB89R118/118B”，因此现有客户可继续在当前的环境下使用新产品。

此外，该产品增加了天线输入电容以应对标签的小型化。到目前为止，以存储容量大、擦写速度快的特点，内置FRAM的高频段RFID在需要频繁写入的工厂自动化（Factory Automation，FA）相关领域得到广泛应用。近年来，利用FRAM的抗辐射特点，抗伽玛射线的RFID标签在医疗设备领域也得到广泛关注。在医疗领域，内置FRAM的RFID标签粘贴在需用25kGy（格雷）以上伽玛射线灭菌的一次性医疗设备和容器等的上面。这种标签的最大好处是可在灭菌处理前粘贴到对象上，因为在伽玛射线照射下，存储在E2PROM中的数据会丢失，而存储在FRAM中的数据则不会受到影响。

此外，标签的粘贴对象中小物品较多，这对标签的小型化提出更高的要求。但标签的物理尺寸受到天线的制约，如不能确保足够的天线圈数，通讯性能就会降低。因此，要求增大芯片的输入电容。

针对这一要求，富士通半导体提供比以往产品的24pF输入电容更大的96pF产品，从而减少天线圈数，实现了标签的小型化。

该产品是由射频供电的被动型RFID，由射频（模拟）、逻辑和存储器3大部分构成，内置2K字节的FRAM数据存储器，还搭载基于ISO/IEC15693非接触型RFID规格的通讯协议和命令群。

该产品的主要特点如下。

?内置大容量存储器 FRAM 2K字节（用户区：2000字节）

? 存储器构成：1B l o c k = 8字节， 由256个Block構成

?数据收发

读写器→RFID标签：

（调制方式）ASK10/100％

（编码）1 out of 4

RFID标签→读写器：

（调制方式）单一副载波OOK

（编码）Manchester

?防碰撞（Anti-collision）功能

? 遵循ISO/IEC15693，支持ASK100％

EOF高速通讯

? UID：采用与MB89R118/118B相同的产

品编码

?命令

? ISO/IEC15693命令群

高速读写命令（自定义）

?天线输入容量

? 两种规格：24（±5％）pF，小型标

签用96（±5％）pF（新产品）

?数据擦写次数：1万亿次

?数据保持特性：? 10年（70℃）

存储器构成该产品由内置2K字节FRAM的内部存储器、2K字节的用户区、48字节的系统区构成，存储器按照每8个字节为1个Block来分配Block号，用户区从00H到F9H共256Block，系统区从FAH到FFH共6Block。表1所示为存储器的构成。针对用户区的特定Block，可通过命令指定Block地址进行读写操作。但针对存放芯片固有ID（64位UID）和各Block安全状态（Lock与否）等的系统区，则只能进行读出操作不能写入

数据收发

读写器向RFID标签传送指令

该产品在读写器和 RFID 标签间的 通 讯 遵 循 ISO/IEC15693 协 议， 对来自读写器的信号采用幅移键控调制（Amplitude Shift Keying，ASK），调制度可对应 10％和 100％。此外，在 ISO/IEC15693 规格中有“1out of 4”和“1out of 256”2 种数据编码方式，该产品只支持“1out of 4”。

MB89R118C-DS411-00001-6v0-E.pdf